DDR3 SDRAM
типы DRAM памяти |
DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видео- памяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM.
У DDR3 уменьшено на 40 % потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм (вначале, в дальнейшем 65-, 50-, 40-нм) техпроцесса при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).
Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.
Содержание[убрать] |
[править] Совместимость
Модули DIMM с памятью DDR3, имеющие 240 контактов, не совместимы
с модулями памяти DDR2 электрически и механически. Ключ расположен в
другом месте, поэтому модули DDR3 не могут быть установлены в слоты
DDR2, сделано это с целью предотвращения ошибочной установки одних
модулей вместо других и их возможного повреждения вследствие
несовпадения электрических параметров.
В переходный период производители выпускали материнские платы, которые
поддерживали установку и модулей DDR2, и DDR3, имея соответствующие
разъёмы (слоты) под каждый из двух типов, но одновременная работа
модулей разных типов не допускалась.
[править] Спецификации стандартов
Стандартное название | Частота памяти | Время цикла | Частота шины | Эффективная частота | Название модуля | Пиковая скорость передачи данных |
DDR3-800 | 100 МГц | 10.00 нс | 400 МГц | 800 МГц | PC3-6400 | 6400 МБ/с |
DDR3-1066 | 133 МГц | 7.50 нс | 533 МГц | 1066 МГц | PC3-8500 | 8533 МБ/с |
DDR3-1333 | 166 МГц | 6.00 нс | 667 МГц | 1333 МГц | PC3-10600 | 10667 МБ/с |
DDR3-1600 | 200 МГц | 5.00 нс | 800 МГц | 1600 МГц | PC3-12800 | 12800 МБ/с |
DDR3-1800 | 225 МГц | 4.44 нс | 900 МГц | 1800 МГц | PC3-14400 | 14400 МБ/с |
DDR3-2000 | 250 МГц | 4.00 нс | 1000 МГц | 2000 МГц | PC3-16000 | 16000 МБ/с |
DDR3-2133 | 266 МГц | 3.75 нс | 1066 МГц | 2133 МГц | PC3-17000 | 17066 МБ/с |
DDR3-2200 | 275 МГц | 3.64 нс | 1100 МГц | 2200 МГц | PC3-17600 | 17600 МБ/с |
DDR3-2400 | 300 МГц | 3.33 нс | 1200 МГц | 2400 МГц | PC3-19200 | 19200 МБ/с |
[править] Возможности
[править] Возможности микросхем DDR3 SDRAM
- Предвыборка 8 бит
- Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
- Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
- Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
- Выполнение CAS Write Latency за такт
- Встроенная терминация данных
- Встроенная калибровка ввода/вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
- Автоматическая калибровка шины данных
[править] Возможности модулей DIMM DDR3
- Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией
- Высокоточные резисторы в цепях калибровки
[править] Преимущества и недостатки
[править] Преимущества по сравнению с DDR2
- Более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с)
- Сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания)
- Меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение
[править] Недостатки по сравнению с DDR2
- Более высокая CAS-латентность (+компенсируется большей пропускной способностью)
[править] См. также
[править] Производители
[править] Литература
В. Соломенчук, П. Соломенчук Железо ПК. — 2008. — ISBN 978-5-94157-711-8